商品情報
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放熱セラミック基板(AlN, Si3N4基板) Aluminium Nitride substrate, Silicon Nitride substrate
概要
窒化アルミニウム基板、窒化ケイ素基板は高熱伝導率で高強度の製品です。
鏡面研磨、粗研磨の加工も可能です。
特性値
| ALN-170 | ALN-200 | ALN-230 | Si3N4 | ||
| 材料 | 単位 | AlN | AlN | AlN | Si3N4 |
| 呈色 | ー | オフホワイト | 灰色 | ||
| 抗折強度 | M Pa | 400 | 350 | 300 | 700 |
| 熱伝導率 | 25℃,w/(m-k) | 170 | 200 | 230 | 80 |
| 見掛密度 | g/㎤ | 3.3 | 3.26 | 3.26 | 3.2 |
| 絶縁破壊電圧 | kV/mm | 17 | 17 | 17 | 20 |
| 熱膨張係数 | 10 -6/K(RT-400℃) | 4.0~5.0 | 4.0~5.0 | 4.0~5.0 | 2.7 |
| 体積固有抵抗 | Ω*cm | 1014 | 1014 | 1014 | 1014 |
| 表面粗さRa | μm | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.8 |
製造可能サイズ
| 長さ | 厚み | |
| AIN基板 | 50.8x50.8, 110x110, 114.3x114.3, 120x120, 127x127, 138x190mm |
0.2, 0.381, 0.5, 0.635, 1.0, 1.5, 2.0, 3.0mm |
| Si3N4基板 | 190.0x138.0mm, 114.3x114.3mm | 0.254, 0.320, 0.635, 1.000mm |
用途
LEDパッケージ用基板薄膜回路基板
パワー抵抗器用基板
お問い合わせ
機能材料部
〒141-0001
東京都品川区北品川五丁目5番15号
大崎ブライトコア19階
TEL：03-3442-5142 FAX：03-3442-5175