商品情報
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半絶縁性単結晶SiCウェハ Semi-Insulating SiC wafer
概要
放熱材料として注目されている、半絶縁性単結晶SiCウェハです。
4インチもしくは6インチウェハから、ご希望の形状に加工しご提供する事も可能です。
特徴
・抵抗値:≧1E6Ωcm(6インチ)、≧1E10Ωcm(4インチ)
・熱伝導率:490W/mK(平面方向)、390W/mK(厚み方向)
・透明体:可視光領域で吸収率5%以下
主な仕様
ポリタイプ | Poly Type | 4H | |
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密度 | Density | g/cm3 | 3.21 |
熱膨張係数 | Thermal Expansion Coefficient | 10-6/K | 4 ~ 5 |
バンドギャップ | Band Gap | eV | 3.23 |
絶縁破壊電界 | Break Down Electrical Field | V/cm | 3 ~ 5 ×106 |
飽和ドリフト速度 | Saturation Drift Velocity | m/s | 2 ×105 |
お問い合わせ
機能材料部
〒141-0001
東京都品川区北品川五丁目5番15号
大崎ブライトコア19階
TEL:03-3442-5142 FAX:03-3442-5175