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半絶縁性単結晶SiCウェハ Semi-Insulating SiC wafer

概要

5Gアンテナ向けRFパワーアンプ、複合ウェハ、放熱基板向けに注目されている、半絶縁性単結晶SiCウェハです。
4インチもしくは6インチウェハから、ご希望の形状に加工しご提供する事も可能です。

特徴

・抵抗値:≧1E6Ωcm(6インチ)、≧1E10Ωcm(4インチ)
・熱伝導率:490W/mK(平面方向)、390W/mK(厚み方向)

 

主な仕様

ポリタイプ Poly Tipe   4H
密度 Density g/cm3 3.21
熱膨張係数 Thermal Expansion Coefficient 10-6/K 4 ~ 5
バンドギャップ Band Gap eV 3.23
絶縁破壊電界 Break Down Electrical Field V/cm 3 ~ 5 ×106
飽和ドリフト速度 Saturation Drift Velocity m/s 2 ×105

お問い合わせ

機能材料部
〒141-0001
東京都品川区北品川五丁目5番15号
大崎ブライトコア19階
TEL:03-3442-5142 FAX:03-3442-5175

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